型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: 2.6A,52V,,N沟道保护MOSFET10405-24￥4.603525-49￥4.262550-99￥4.0238100-499￥3.9215500-2499￥3.85332500-4999￥3.76815000-9999￥3.7340≥10000￥3.6828 -
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品类: MOS管描述: 受保护的功率MOSFET Protected Power MOSFET773220-49￥0.094550-99￥0.0875100-299￥0.0840300-499￥0.0812500-999￥0.07911000-4999￥0.07775000-9999￥0.0763≥10000￥0.0749 -
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品类: MOS管描述: 自我保护FET的温度和电流限制 Self−protected FET with Temperature and Current Limit70135-24￥1.714525-49￥1.587550-99￥1.4986100-499￥1.4605500-2499￥1.43512500-4999￥1.40345000-9999￥1.3907≥10000￥1.3716 -
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品类: MOS管描述: 1.73W,42V,,N沟道保护MOSFET958910-99￥6.9720100-499￥6.6234500-999￥6.39101000-1999￥6.37942000-4999￥6.33295000-7499￥6.27487500-9999￥6.2283≥10000￥6.2051 -
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品类: MOS管描述: 受保护的功率MOSFET Protected Power MOSFET25555-24￥4.023025-49￥3.725050-99￥3.5164100-499￥3.4270500-2499￥3.36742500-4999￥3.29295000-9999￥3.2631≥10000￥3.2184 -
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品类: MOS管描述: 400V,0.4A,5.5Ohm,N沟道功率MOSFET89085-24￥2.025025-49￥1.875050-99￥1.7700100-499￥1.7250500-2499￥1.69502500-4999￥1.65755000-9999￥1.6425≥10000￥1.6200 -
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品类: MOS管描述: P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。907410-99￥6.2160100-499￥5.9052500-999￥5.69801000-1999￥5.68762000-4999￥5.64625000-7499￥5.59447500-9999￥5.5530≥10000￥5.5322 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT3055, 4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装24885-24￥2.848525-49￥2.637550-99￥2.4898100-499￥2.4265500-2499￥2.38432500-4999￥2.33165000-9999￥2.3105≥10000￥2.2788 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT014, 2.7 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装48595-24￥4.239025-49￥3.925050-99￥3.7052100-499￥3.6110500-2499￥3.54822500-4999￥3.46975000-9999￥3.4383≥10000￥3.3912 -
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品类: MOS管描述: SOT-223 N-CH 400V 0.5A88465-24￥2.875525-49￥2.662550-99￥2.5134100-499￥2.4495500-2499￥2.40692500-4999￥2.35375000-9999￥2.3324≥10000￥2.3004 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT3055 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 3 V662110-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT451AN, 7.2 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装26745-24￥4.981525-49￥4.612550-99￥4.3542100-499￥4.2435500-2499￥4.16972500-4999￥4.07755000-9999￥4.0406≥10000￥3.9852 -
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品类: MOS管描述: 42V,2A,N沟道MOSFET50271-9￥68.540010-99￥65.5600100-249￥65.0236250-499￥64.6064500-999￥63.95081000-2499￥63.65282500-4999￥63.2356≥5000￥62.8780 -
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品类: 双极性晶体管描述: 双极功率晶体管NPN硅集电极 - 发射极耐受电压 - VCEO（SUS） = 30 VDC（最小）@ IC= 10 MADC•高DC电流增益 - HFE=85（分钟）@ IC= 0.8 ADC=60（分钟）@ IC= 3.0 ADC•低集电极 - 发射极饱和电..23765-24￥1.633525-49￥1.512550-99￥1.4278100-499￥1.3915500-2499￥1.36732500-4999￥1.33715000-9999￥1.3250≥10000￥1.3068 -
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品类: 双极性晶体管描述: 双极功率晶体管PNP硅 Bipolar Power Transistors PNP Silicon81631-9￥152.168010-49￥148.198450-99￥145.1550100-199￥144.0965200-499￥143.3026500-999￥142.24401000-1999￥141.5824≥2000￥140.9208 -
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品类: MOS管描述: N沟道,55V,2.8A,75mΩ@10V902110-99￥8.7120100-499￥8.2764500-999￥7.98601000-1999￥7.97152000-4999￥7.91345000-7499￥7.84087500-9999￥7.7827≥10000￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: BSP149 系列 200 V 3.5 Ohm N沟道 SIPMOS® 小信号 晶体管-PG-SOT-22350775-24￥4.063525-49￥3.762550-99￥3.5518100-499￥3.4615500-2499￥3.40132500-4999￥3.32615000-9999￥3.2960≥10000￥3.2508 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 55 V, 0.048 ohm, 10 V, 3 V69185-24￥2.146525-49￥1.987550-99￥1.8762100-499￥1.8285500-2499￥1.79672500-4999￥1.75705000-9999￥1.7411≥10000￥1.7172 -
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品类: MOS管描述: 场效应管, MOSFET83135-24￥4.198525-49￥3.887550-99￥3.6698100-499￥3.5765500-2499￥3.51432500-4999￥3.43665000-9999￥3.4055≥10000￥3.3588 -
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品类: MOS管描述: Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R48945-24￥4.090525-49￥3.787550-99￥3.5754100-499￥3.4845500-2499￥3.42392500-4999￥3.34825000-9999￥3.3179≥10000￥3.2724 -
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品类: 双极性晶体管描述: PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管22155-24￥1.512025-49￥1.400050-99￥1.3216100-499￥1.2880500-2499￥1.26562500-4999￥1.23765000-9999￥1.2264≥10000￥1.2096 -
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品类: MOS管描述: ON SEMICONDUCTOR NTF3055-100T1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 60 V, 0.088 ohm, 10 V, 3 V57915-24￥2.902525-49￥2.687550-99￥2.5370100-499￥2.4725500-2499￥2.42952500-4999￥2.37585000-9999￥2.3543≥10000￥2.3220 -
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品类: MOS管描述: IRFL024ZTRPBF 编带95955-24￥1.701025-49￥1.575050-99￥1.4868100-499￥1.4490500-2499￥1.42382500-4999￥1.39235000-9999￥1.3797≥10000￥1.3608 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。40505-24￥2.281525-49￥2.112550-99￥1.9942100-499￥1.9435500-2499￥1.90972500-4999￥1.86755000-9999￥1.8506≥10000￥1.8252 -
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品类: MOS管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRFL014NTRPBF 场效应管, MOSFET55415-24￥1.849525-49￥1.712550-99￥1.6166100-499￥1.5755500-2499￥1.54812500-4999￥1.51395000-9999￥1.5002≥10000￥1.4796 -
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品类: 双极性晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR PZTA92T1G. 双极性晶体管, PNP, -50mA, -300V, SOT223918010-49￥0.918050-99￥0.8704100-299￥0.8364300-499￥0.8160500-999￥0.79561000-2499￥0.77522500-4999￥0.7446≥5000￥0.7378 -
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品类: MOS管描述: P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics26145-24￥2.862025-49￥2.650050-99￥2.5016100-499￥2.4380500-2499￥2.39562500-4999￥2.34265000-9999￥2.3214≥10000￥2.2896 -
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品类: 双极性晶体管描述: PZT2907A PNP三极管 -60V -600mA/- 0.6A 200MHz 100~300 -400mV/-0.4V SOT-223/TO-261AA marking/标记 2907A 开关和放大448320-49￥0.391550-99￥0.3625100-299￥0.3480300-499￥0.3364500-999￥0.32771000-4999￥0.32195000-9999￥0.3161≥10000￥0.3103
